在非晶/结晶硅(a-Si:H/c-Si)界面形成的异质结具有独特的电子特性，可用于硅异质结(SHJ)太阳能电池。超薄a-Si:H钝化层的结合实现了750 mV的高开路电压(Voc)。此外，n型或p型掺杂的a-Si:H接触层可以结晶成混合相，减轻寄生吸收，并提高载流子选择性和收集效率。

隆基绿能科技股份有限公司Xu Xixiang、Li Zhenguo等人在p型硅片上实现效率为26.6%的SHJ太阳能电池。作者在晶片上采用了磷扩散吸杂预处理策略，并使用了纳米晶体硅(nc-Si:H)的载流子选择性接触，将p型SHJ太阳能电池的效率大幅提高到26.56%，从而为p型硅太阳能电池建立了新的性能基准。

作者详细介绍了该器件的工艺发展和光电性能改善。最后，作者进行功率损耗分析以确定p型SHJ太阳能电池技术的未来发展路径。

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