有鉴于此，中国科学院物理研究所孟庆波等通过数据驱动的方法分析CZTSSe的深缺陷，发现CZTSSe的深缺陷能够作为供体。发展了缓解晶化缺陷的方法，显著改善CZTSSe电池性能。
基于发现的深缺陷能够作为供体的现象，进一步提出在CZTSSe的多步骤晶化过程中，阳离子交换不完整是导致形成缺陷的原因。为了促进阳离子交换，作者发展了一种多元合金方法，降低金属-卤元素化学键强度，提高中间相稳定性。
通过这项方法，能够显著降低CZTSSe光吸收层中的电荷损失，因此效率达到14.6 %(认证效率达到14.2 %)。总之，这项研究不仅显著促进CZTSSe太阳能电池的发展，而且有助于理解缺陷位点在太阳能电池中起到的作用。
特别声明：本站转载其他网站内容，出于传递更多信息而非盈利之目的，同时并不代表赞成其观点或证实其描述，内容仅供参考。版权归原作者所有，若有侵权，请联系我们删除。
